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SIZ790DT-T1-GE3

Parte No SIZ790DT-T1-GE3
Produttore Vishay
Catalogo FETs - Arrays
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categoria Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays
Costruttore Vishay
Serie SkyFET®, TrenchFET®
Imballaggio Tape & Reel
Stato del prodotto Obsolete
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16A, 35A
Rds On (max) a Id, Vgs 9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 2.2V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (max) a Vgs 24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 830pF @ 15V
Potenza - Max 27W, 48W
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Contenitore/involucro 6-PowerPair™
Package del produttore 6-PowerPair™
Codice articolo di base SIZ790
Confezione standard 3,000 pcs
Livello MSL 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Codice Articolo Win Source 667357-SIZ790DT-T1-GE3
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 41pct.
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian SIZ790DT-T1-GE3 Modello CAD

Descrizione

The SIZ790DT-T1-GE3 is a logic level gate N-Channel MOSFET array from Vishay's SkyFET and TrenchFET series.

  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A @ 25°C and 35A
  • Rds On (Max): 9.3mOhm @ 15A and 10V
  • Mounting: Surface Mountable
  • Package: 6-PowerPair
  • Temperature Range: -55°C to 150°C
  • Status: Obsolete

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