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Parte No IRF7324PBF
Produttore Infineon Technologies
Catalogo FETs - Arrays
Descrizione HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm) | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Infineon Technologies
Imballaggio Tube
Polarità del transistor 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Vds - Tensione di rottura drain-source 20V
Id - Corrente di drain continua 9A
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm at 9A, 4.5V
Tensione gate-source (th) (max) a Id 1V at 250μA
Carica di gate (Qg) (max) a Vgs 63nC at 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2940pF at 15V
Potenza massima 2W
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio SMD
Package del costruttore 8-SOIC
Package del produttore 8-SO
Codice articolo famiglia IRF7324PBF
Quantità confezione del costruttore 3,800
Livello MSL 1 (Unlimited)
Codice Articolo Win Source 1187216-IRF7324PBF
Homepage del costruttore www.irf.com
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 46 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Limited
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian IRF7324PBF Modello CAD

Descrizione

The Infineon Technologies IRF7324PBF is a dual P-channel MOSFET transistor designed for use in discrete semiconductor products.

  • Channel Type: P-Channel
  • Configuration: Dual
  • Drain-Source Breakdown Voltage: 20V
  • Continuous Drain Current: 9A
  • Power: 2W
  • Input Capacitance: 2940pF @ 15V
  • Gate Charge: 63nC @ 5V
  • Gate-Source Voltage: 1V @ 250μA
  • Mounting Style: Surface Mount
  • Package: 8-SO
  • Popularity: Medium
  • Supply and Demand Status: Limited

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
31+ $1.6386 $50.7966
66+ $1.5349 $101.3034
102+ $1.4830 $151.2660
146+ $1.3793 $201.3778
189+ $1.3275 $250.8975
236+ $1.2756 $301.0416
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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