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Parte No 2N7002-7-F
Produttore Diodes Incorporated
Catalogo Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Descrizione MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Diodes Incorporated
Imballaggio Reel - TR
Stato Active
Polarità N-Channel
Tecnologia MOSFET
Tensione di rottura drain-source 60V
Corrente di drain continua a 25 °C 115mA (Ta)
Tensione di pilotaggio (Rds On max, Rds On min) 5V, 10V
Tensione di soglia gate-source 2.5V @ 250μA
Capacità di ingresso max 50pF @ 25V
Tensione gate-source massima ±20V
Dissipazione di potenza (max) 370mW (Ta)
Rds On massima a Id,Vgs 7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C to 150°C (TJ)
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro SOT-23-3
Dimensione TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 005717-2N7002-7-F
Nome famiglia 2N7002
Data di introduzione October 16, 1997
ECCN EAR99
Paese di origine China
Senza alogeni Compliant
Data EOL stimata 2025
Parte di uso comune? Yes
Popolarità High
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 47 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Sufficient
Campo di applicazione Used in Motor Drive & Control, Power Management, Defence, Military & Aerospace
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian 2N7002-7-F Modello CAD

Descrizione

Product Overview: 2N7002-7-F by Diodes Incorporated

The 2N7002-7-F is a high-performance, small signal N-Channel MOSFET, designed and manufactured by Diodes Incorporated. It is a versatile and reliable component suitable for a wide range of applications, from power management to switching. The 2N7002-7-F is known for its efficiency and low on-resistance, making it an ideal choice for designers looking to optimize their circuit designs for both performance and power consumption.

Key Features

  • Device Type: N-Channel MOSFET
  • Configuration: Single
  • Drain-Source Voltage (VDS): 60V
  • Continuous Drain Current (ID): 200mA
  • RDS(on): Very low at 7.5Ω max
  • Package: SOT-23
  • RoHS: Compliant with RoHS standards

Applications

The 2N7002-7-F is a versatile component that can be used in various applications, including but not limited to:

  • Power Management
  • Load Switch
  • Switching Circuits
  • Motor Control
  • DC-DC Converters
  • Computer Peripherals

Performance and Quality

Diodes Incorporated has designed the 2N7002-7-F with performance and reliability in mind. The MOSFET's low on-resistance ensures minimal power loss during operation, which is critical for energy-sensitive applications. Additionally, its ability to handle a continuous drain current of up to 200mA makes it suitable for moderate power tasks.

Quality is a hallmark of Diodes Incorporated, and the 2N7002-7-F is no exception. It is RoHS compliant, ensuring that it meets the latest environmental standards and is free from hazardous substances. The device is provided in the industry-standard SOT-23 package, which is known for its compact footprint and ease of integration into various circuit designs.

Conclusion

The 2N7002-7-F from Diodes Incorporated is a reliable and efficient solution for designers looking to incorporate a high-performance N-Channel MOSFET into their electronic circuits. With its low on-resistance, high voltage capability, and compliance with environmental standards, it stands as a smart choice for a multitude of electronic applications.

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
1,630+ $0.0307 $50.0410
3,475+ $0.0288 $100.0800
5,400+ $0.0278 $150.1200
7,725+ $0.0259 $200.0775
10,045+ $0.0249 $250.1205
12,555+ $0.0239 $300.0645
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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