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Parte No FDME1024NZT
Produttore ON Semiconductor
Catalogo FETs - Arrays
Descrizione Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 3.8 A, 66 m | MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore ON Semiconductor
Imballaggio Reel
Polarità del transistor 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Vds - Tensione di rottura drain-source 20V
Id - Corrente di drain continua 3.8A
Rds On (max) a Id, Vgs 66mOhm at 3.4A, 4.5V
Tensione gate-source (th) (max) a Id 1V at 250μA
Carica di gate (Qg) (max) a Vgs 4.2nC at 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 300pF at 10V
Potenza massima 600mW
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio SMD
Package del costruttore 6-UFDFN Exposed Pad
Package del produttore 6-MicroFET (1.6x1.6)
Quantità confezione del costruttore 1
Livello MSL 1 (Unlimited)
Codice Articolo Win Source 1173822-FDME1024NZT
Homepage del costruttore www.fairchildsemi.com
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 64 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian FDME1024NZT Modello CAD

Descrizione

The FDME1024NZT is a high-performance, dual N-channel PowerTrench® MOSFET from ON Semiconductor, designed to deliver efficient power management and signal conditioning in a compact package. This product is an optimal solution for applications requiring low on-resistance and high switching performance.

Key Features

  • Low On-Resistance: The FDME1024NZT features an exceptionally low on-resistance, which minimizes conduction losses and improves overall efficiency, making it suitable for high-efficiency power management systems.
  • PowerTrench® Technology: Utilizing ON Semiconductor's advanced PowerTrench® process, this MOSFET offers superior switching performance, which is critical for reducing switching losses in power conversion applications.
  • Dual N-Channel Configuration: The dual N-channel setup allows for flexibility in design, enabling the creation of compact circuit layouts by replacing two discrete MOSFETs with a single package.
  • High Current Capability: This device is capable of handling high continuous drain currents, making it a reliable choice for demanding power applications.
  • Thermal Management: The FDME1024NZT comes in a MicroFET 2x2 package, which provides excellent thermal performance and helps maintain device longevity and reliability under high power conditions.

Applications

The FDME1024NZT is versatile and can be used in a variety of applications, including:

  • DC-DC Converters
  • Power Management for Portable Devices
  • Load Switching
  • Battery Management Systems
  • Motor Control Circuits

Technical Specifications

Parameter Value
Drain-Source Voltage (VDS) 20V
Continuous Drain Current (ID) 6.5A
Power Dissipation (PD) 1.25W
RDS(on) 20 mΩ
Package MicroFET 2x2

With its robust design and advanced technology, the ON Semiconductor FDME1024NZT MOSFET is an excellent choice for engineers looking to enhance power efficiency and performance in their electronic designs.

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
75+ $0.6739 $50.5425
160+ $0.6305 $100.8800
250+ $0.6087 $152.1750
355+ $0.5653 $200.6815
460+ $0.5435 $250.0100
575+ $0.5218 $300.0350
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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MOQ: 75 pz
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