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PMEG4002EL,315

Parte No PMEG4002EL,315
Produttore NXP / Nexperia
Catalogo Diodes, Rectifiers - Single
Descrizione DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD882
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Nexperia USA Inc.
Imballaggio Reel - TR
Stato Active
Tipo di diodo Schottky
Tensione - Inversa c.c. (Vr) (max) 40V
Corrente - Media raddrizzata (Io) 200mA (DC)
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 600mV @ 200mA
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10μA @ 40V
Capacità a Vr, F 20pF @ 1V, 1MHz
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro DFN1006-2
Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max)
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 111641-PMEG4002EL,315
Materie prime Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 63 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Modelli ECAD Contact us to download
Scheda dati sulla sicurezza dei materiali (MSDS) Get Access
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian PMEG4002EL,315 Modello CAD

Descrizione

NXP PMEG4002EL,315 Schottky Barrier Diode

The PMEG4002EL,315 from NXP Semiconductors is a high-efficiency, low forward voltage drop Schottky barrier diode that is designed to meet the needs of a wide range of applications. This component is part of NXP's extensive diode portfolio, which is renowned for its high-quality standards and reliability. The PMEG4002EL,315 is particularly well-suited for use in power management functions, including reverse polarity protection, low voltage rectification, and freewheeling applications in various electronic devices.

Key Features

  • Low Forward Voltage: The diode's low forward voltage drop (Vf) helps in reducing power loss and improving efficiency, which is critical for battery-powered devices.
  • High Current Capability: With a forward current rating of 2 A, this diode can handle significant current, making it suitable for a broad range of applications.
  • Low Reverse Leakage Current: The PMEG4002EL,315 exhibits low leakage current, which minimizes power loss when the diode is in the reverse-biased state.
  • Small Form Factor: Encased in a small SOD882L surface-mount package, it is ideal for space-constrained applications.
  • High Maximum Junction Temperature: The diode can operate at junction temperatures up to 150°C, allowing for usage in high-temperature environments.

Applications

The PMEG4002EL,315 is versatile and can be used in a variety of electronic circuits. Some common applications include:

  • DC-DC converters
  • Power supplies
  • Solar cells
  • Battery charging circuits
  • Automotive applications
  • Portable devices and smartphones

Reliability and Quality

NXP Semiconductors is known for its commitment to quality, and the PMEG4002EL,315 is no exception. It is manufactured using a robust process that ensures high reliability and performance consistency. The diode's construction is RoHS compliant and free from environmentally harmful substances, making it a suitable choice for eco-friendly products.

Whether you are designing a power supply, optimizing the power efficiency of a portable device, or seeking a reliable component for automotive electronics, the PMEG4002EL,315 Schottky barrier diode from NXP is an excellent choice that combines efficiency, compactness, and durability.

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
1,180+ $0.0425 $50.1500
2,515+ $0.0398 $100.0970
3,900+ $0.0385 $150.1500
5,590+ $0.0358 $200.1220
7,270+ $0.0344 $250.0880
9,065+ $0.0331 $300.0515
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