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PMV160UP,215

Parte No PMV160UP,215
Produttore Nexperia USA Inc.
Catalogo TRANSISTORS
Descrizione MOSFETs 20 V, 1.2 A P-channel Trench MOSFET
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Costruttore Nexperia
Tecnologia Si
Tipo di montaggio SMD/SMT
Contenitore/involucro SOT-23-3
Polarità del transistor P-Channel
N. di canali 1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source 20 V
Id - Corrente di drain continua 1.2 A
Rds On - Resistenza drain-source 210 mOhms
Vgs - Tensione gate-source - 8 V, + 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source 450 mV
Qg - Carica di gate 3.3 nC
Temperatura di esercizio minima - 55 C
Temperatura di esercizio massima + 150 C
Pd - Dissipazione di potenza 480 mW
Modalità canale Enhancement
Imballaggio Cut Tape
Imballaggio MouseReel
Imballaggio Reel
Marca Nexperia
Tipo di prodotto MOSFETs
Qtà confezione standard 3000
Sottocategoria Transistors
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian PMV160UP,215 Modello CAD

Descrizione

The Nexperia USA Inc. PMV160UP,215 is a P-channel MOSFET designed for discrete semiconductor products.

  • Drain-Source Breakdown Voltage: 20V
  • Continuous Drain Current @ 25°C: 1.2A (Ta)
  • Maximum Rds On @ Id,Vgs: 210 mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Gate-Source Threshold Voltage: 950mV @ 250μA
  • Package: SMD (SMT), TO-236AB (SOT23)
  • Maximum Power Dissipation: 335mW (Ta), 2.17W (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
120+ $0.4268 $51.2160
255+ $0.3993 $101.8215
390+ $0.3855 $150.3450
560+ $0.3580 $200.4800
730+ $0.3442 $251.2660
910+ $0.3305 $300.7550
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