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PMCXB900UELZ Nexperia USA Inc.
Lo stesso modello può avere più lotti, le immagini sono solo a scopo di riferimento.

PMCXB900UELZ

Parte No PMCXB900UELZ
Produttore Nexperia USA Inc.
Catalogo FETs - Arrays
Descrizione 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL
Scheda tecnica
PMCXB900UELZ Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categoria Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays
Costruttore Nexperia USA Inc.
Serie -
Imballaggio Tape & Reel
Stato del prodotto Active
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET -
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 600mA
Rds On (max) a Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (max) a Id 950mV @ 250µA
Carica di gate (Qg) (max) a Vgs 0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 21.3pF @ 10V
Potenza - Max 380mW
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Contenitore/involucro 6-XFDFN Exposed Pad
Package del produttore DFN1010B-6
Codice articolo di base PMCXB900
Livello MSL 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Codice Articolo Win Source 1376809-PMCXB900UELZ
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 37 pct.
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian PMCXB900UELZ Modello CAD

Descrizione

The 1376809-PMCXB900UELZ is a MOSFET array from Nexperia USA Inc.

  • Application: Discrete Semiconductor
  • Operating Temperature: -55°C to 150°C
  • Drain-Source Voltage: 20V
  • Continuous Drain Current: 600mA @ 25°C
  • On-Resistance (Max): 620mOhm @ 600mA and 4.5V Gate-Source Voltage
  • Gate Charge: 0.7nC @ 4.5V Gate-Source Voltage
  • Input Capacitance: 21.3pF @ 10V Drain-Source Voltage
  • RoHS Compliant: Yes
  • REACH Unaffected: Yes
  • Power Dissipation (Max): 380mW

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