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Lo stesso modello può avere più lotti, le immagini sono solo a scopo di riferimento.

BSS84AK,215

Parte No BSS84AK,215
Produttore Nexperia USA Inc.
Catalogo TRANSISTORS
Descrizione MOSFETs 50 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET
Scheda tecnica
BSS84AK,215 Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
Serve Aiuto?

Specifiche prodotto Segnala problema?

Costruttore Nexperia
Tecnologia Si
Tipo di montaggio SMD/SMT
Contenitore/involucro SOT-23-3
Polarità del transistor P-Channel
N. di canali 1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source 50 V
Id - Corrente di drain continua 180 mA
Rds On - Resistenza drain-source 7.5 Ohms
Vgs - Tensione gate-source - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source 1.1 V
Qg - Carica di gate 260 pC
Temperatura di esercizio minima - 55 C
Temperatura di esercizio massima + 150 C
Pd - Dissipazione di potenza 420 mW
Modalità canale Enhancement
Imballaggio Cut Tape
Imballaggio MouseReel
Imballaggio Reel
Marca Nexperia
Tipo di prodotto MOSFETs
Qtà confezione standard 3000
Sottocategoria Transistors
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian BSS84AK,215 Modello CAD

Descrizione

The Nexperia USA Inc. BSS84AK,215 is a P-Channel MOSFET designed for discrete semiconductor products.

  • Channel Type: P-Channel
  • Mounting Technology: Surface mount technology (SMT)
  • Maximum Power Dissipation: 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
  • Category: Circuit protection
  • Status: Active
  • Temperature Range: -55°C to 150°C (TJ)
  • Package: TO-236AB (SOT23)
  • Drain-Source Breakdown Voltage: 50V
  • Continuous Drain Current @ 25°C: 180mA (Ta)
  • Max Gate Charge: 0.35nC @ 5V
  • Maximum Rds On @ Id,Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V
  • Supply and Demand Status: Sufficient

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
1,115+ $0.0449 $50.0635
2,385+ $0.0420 $100.1700
3,695+ $0.0406 $150.0170
5,295+ $0.0378 $200.1510
6,890+ $0.0363 $250.1070
8,600+ $0.0349 $300.1400
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