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Parte No IR2127SPBF
Produttore Infineon Technologies
Catalogo PMIC - Gate Drivers
Descrizione IC MOSFET DRVR CURR SENSE 8SOIC
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Categorie Integrated Circuits
Costruttore Infineon Technologies
Imballaggio Tube/Rail
Stato Active
Configurazione pilotata High-Side or Low-Side
Tipo di canale Single
N. di driver 1
Tipo di gate IGBT, N-Channel MOSFET
Tensione di alimentazione - Esercizio 12 V to 20 V
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, sink) 250mA, 500mA
Tipo di ingresso Non-Inverting
Tensione lato alto - max (Bootstrap) 600V
Tempo di salita e discesa 80ns, 40ns
Intervallo di temperatura - Esercizio -40°C to 150°C (TJ)
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro 8-SOIC
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 140692-IR2127SPBF
Materie prime Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 63 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Modelli ECAD Contact us to download
Scheda dati sulla sicurezza dei materiali (MSDS) Get Access
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian IR2127SPBF Modello CAD

Descrizione

The Infineon Technologies IR2127SPBF is an integrated circuit that is ideal for use in a variety of applications.

  • Channel: Single
  • Input Type: Non-inverting
  • Driven Configuration: High-side or low-side
  • Number of Drivers: 1
  • Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
  • Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
  • Current - Peak Output (source, sink): 250mA, 500mA
  • High Side Voltage - max (bootstrap): 600V
  • Package: 8-SOIC
  • Temperature Range: -40°C to 150°C (TJ)
  • Supply Voltage - Operating: 12 V to 20 V
  • Rise and Fall Time: 80ns, 40ns

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
100+ $0.5202 $52.0200
210+ $0.4867 $102.2070
320+ $0.4699 $150.3680
460+ $0.4363 $200.6980
600+ $0.4196 $251.7600
745+ $0.4028 $300.0860
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