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BFS17S H6327 Real Image
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BFS17S H6327

Parte No BFS17S H6327
Produttore Infineon Technologies
Catalogo RF Transistors (BJT)
Descrizione TRANS RF NPN 15V 25MA SOT363
Scheda tecnica
BFS17S H6327 Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Infineon Technologies
Imballaggio Reel - TR
Stato Active
Polarità del transistor 2 NPN (Dual)
Tensione di rottura massima collettore-emettitore VCEO 15V
Frequenza - Transizione 1.4GHz
Cifra di rumore (dB tip. a f) 3dB to 5dB @ 800MHz
Dissipazione di potenza massima 280mW
Guadagno tipico (hFE) (min) 40 @ 2mA, 1V
Corrente massima collettore 25mA
Intervallo di temperatura - Esercizio 150°C (TJ)
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro PG-SOT363-6
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 039639-BFS17S H6327
Materie prime Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 52 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Limited
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian BFS17S H6327 Modello CAD

Descrizione

BFS17S H6327 - SMD Medium Power NPN Transistor

The BFS17S H6327 is a surface-mount medium power NPN transistor, designed to provide efficient solutions for amplification needs in compact applications.

  • Features and Benefits:
    • Medium power handling capabilities.
    • Compact SMD package for space-saving designs.
    • Excellent thermal and electrical characteristics.
  • Applications:
    • Medium power amplification circuits.
    • High-frequency inverter circuits.
    • Power management systems.
  • Additional Details:
    • Maximum Collector Current: 100 mA.
    • Maximum Collector-Emitter Voltage: 45 V.
    • Package Type: SOT-23.

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