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BCX5516E6433HTMA1 Infineon Technologies
Lo stesso modello può avere più lotti, le immagini sono solo a scopo di riferimento.

BCX5516E6433HTMA1

Parte No BCX5516E6433HTMA1
Produttore Infineon Technologies
Catalogo Transistors (BJT) - Single
Descrizione TRANS NPN 60V 1A SOT-89
Scheda tecnica
BCX5516E6433HTMA1 Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Infineon Technologies
Imballaggio Reel - TR
Stato Obsolete(EOL)
Polarità del transistor NPN
Corrente massima collettore 1A
Tensione di rottura massima collettore-emettitore VCEO 60V
Vce (sat) max 500mV @ 50mA, 500mA
Corrente di interdizione collettore (max) 100nA (ICBO)
Guadagno tipico (hFE) (min) 100 @ 150mA, 2V
Dissipazione di potenza massima 2W
Frequenza - Transizione 100MHz
Intervallo di temperatura - Esercizio 150°C (TJ)
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro PG-SOT89
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 1022811-BCX5516E6433HTMA1
Materie prime Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 30 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Modelli ECAD Contact us to download
Scheda dati sulla sicurezza dei materiali (MSDS) Get Access
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian BCX5516E6433HTMA1 Modello CAD

Descrizione

The Infineon Technologies BCX5516E6433HTMA1 is an NPN transistor with a collector-emitter breakdown voltage of 60V and a maximum current collector of 1A.

  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Transistor Type: NPN
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage: 60V
  • Maximum Current Collector: 1A
  • Maximum Vce: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Typical Gain (hFE) (Min): 100 @ 150mA, 2V
  • Package: PG-SOT89
  • Application: Discrete semiconductor products

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