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AUIRLR3410TR Infineon Technologies
Lo stesso modello può avere più lotti, le immagini sono solo a scopo di riferimento.

AUIRLR3410TR

Parte No AUIRLR3410TR
Produttore Infineon Technologies
Catalogo FETs - Single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Infineon Technologies
Imballaggio Tape and Reel
Polarità del transistor N-Channel
Tecnologia MOSFET
Vds - Tensione di rottura drain-source 100V
Id - Corrente di drain continua 17A
Tensione di pilotaggio (Rds On max, Rds On min) 4V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm at 10A, 10V
Tensione gate-source (th) (max) a Id 2V at 250μA
Carica di gate (Qg) (max) a Vgs 34nC at 5V
Tensione gate-source (max) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 800pF at 25V
Dissipazione di potenza (max) 79W
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio SMD
Package del produttore D-Pak
Package del costruttore TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Quantità confezione del costruttore 2,000
Livello MSL 1 (Unlimited)
Codice Articolo Win Source 729696-AUIRLR3410TR
Popolarità Low
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 31 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian AUIRLR3410TR Modello CAD

Descrizione

The Infineon Technologies 729696-AUIRLR3410TR is a N-Channel MOSFET with a Drain-Source Breakdown Voltage of 100V and Continuous Drain Current of 17A.

  • Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
  • Continuous Drain Current: 17A
  • Gate Source Voltage(th): 2V @ 250μA
  • Input Capacitance (Ciss): 800pF @ 25V
  • Package: D-Pak
  • Temperature Range: -55°C to 175°C
  • Maximum Power Dissipation: 79W
  • Maximum Gate Charge (Qg): 34nC @ 5V

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Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
55+ $1.1157 $61.3635
115+ $1.0441 $120.0715
175+ $1.0083 $176.4525
250+ $0.9367 $234.1750
325+ $0.8997 $292.4025
405+ $0.8639 $349.8795
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