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MMDT2222A-7-F

Parte No MMDT2222A-7-F
Produttore Diodes Incorporated
Catalogo Transistors (BJT) - Arrays
Descrizione Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R / TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Diodes Incorporated
Imballaggio Reel - TR
Stato Active
Polarità del transistor 2 NPN (Dual)
Corrente massima collettore 600mA
Tensione di rottura massima collettore-emettitore VCEO 40V
Vce (sat) max 1V @ 50mA, 500mA
Corrente di interdizione collettore (max) 10nA (ICBO)
Guadagno tipico (hFE) (min) 100 @ 150mA, 10V
Dissipazione di potenza massima 200mW
Frequenza - Transizione 300MHz
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C to 150°C (TJ)
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro SOT-363
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 023907-MMDT2222A-7-F
Parte di uso comune? Yes
Popolarità High
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 33 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Nome famiglia MMDT2222A
Data di introduzione October 12, 2000
ECCN EAR99
Paese di origine China
Senza alogeni Compliant
Data EOL stimata 2029
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian MMDT2222A-7-F Modello CAD

Descrizione

Product Overview: MMDT2222A-7-F

The MMDT2222A-7-F is a high-performance, dual NPN transistor manufactured by Diodes Incorporated, designed to deliver efficient amplification and switching capabilities in a compact package. This versatile bipolar junction transistor (BJT) is a perfect solution for a wide range of electronic applications, from simple amplification tasks to more complex circuit designs requiring high-speed switching.

Key Features

  • Transistor Type: The MMDT2222A-7-F is a dual NPN transistor, which means it is composed of two NPN transistors within a single package, enabling designers to save space on PCBs.
  • Voltage and Current Ratings: With a collector-emitter voltage (Vceo) of 40V and a collector current (Ic) of 600mA, this transistor can handle moderate power applications with ease.
  • High Transition Frequency: The device boasts a high transition frequency (fT) of 300MHz, making it suitable for high-speed switching applications.
  • Low Saturation Voltage: It features low collector-emitter saturation voltage, which minimizes power loss and improves efficiency during operation.
  • Power Dissipation: The MMDT2222A-7-F can dissipate up to 225mW, allowing it to manage a fair amount of power for its small size.
  • Package: Housed in a SOT-363 package, it is designed for surface mount technology, facilitating easy integration into modern PCB designs.

Applications

The MMDT2222A-7-F is suitable for a variety of applications, including:

  • Signal amplification in audio and communication devices
  • Driver stages in audio amplifiers
  • Switching loads in power management circuits
  • Digital logic circuits
  • Portable and consumer electronics

Quality and Reliability

Diodes Incorporated is known for its commitment to quality, and the MMDT2222A-7-F is no exception. It is RoHS compliant, ensuring that it meets the latest environmental standards by avoiding the use of hazardous substances. The product also undergoes rigorous testing to ensure reliability and performance under various conditions.

In summary, the MMDT2222A-7-F from Diodes Incorporated is a reliable and versatile component that offers designers the flexibility and performance needed to create efficient and compact electronic solutions.

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
695+ $0.0721 $50.1095
1,690+ $0.0592 $100.0480
2,620+ $0.0573 $150.1260
3,605+ $0.0555 $200.0775
4,665+ $0.0536 $250.0440
6,240+ $0.0481 $300.1440
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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