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DMN2025UFDB-7

Parte No DMN2025UFDB-7
Produttore Diodes Incorporated
Catalogo FETs - Arrays
Descrizione MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Categoria Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays
Costruttore Diodes Incorporated
Serie -
Imballaggio Tape & Reel
Stato del prodotto Active
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET -
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6A (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (max) a Id 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (max) a Vgs 12.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 486pF @ 10V
Potenza - Max 700mW (Ta)
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Contenitore/involucro 6-UDFN Exposed Pad
Package del produttore U-DFN2020-6 (Type B)
Codice articolo di base DMN2025
Livello MSL 1 (Unlimited)
Stato REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
Codice Articolo Win Source 1376902-DMN2025UFDB-7
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 41 pct.
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian DMN2025UFDB-7 Modello CAD

Descrizione

The DMN2025UFDB-7 is a high-performance, N-channel MOSFET produced by Diodes Incorporated, a leading manufacturer in the semiconductor industry. This particular MOSFET is designed for power switching and management applications, offering efficient power conversion with minimal losses. It is a suitable component for a wide range of electronic devices and circuits where low on-resistance and high switching speeds are of paramount importance.

Key Features

  • Low On-Resistance: The DMN2025UFDB-7 boasts an exceptionally low on-resistance (RDS(on)), which ensures reduced power loss and improved efficiency in operation.
  • High Continuous Drain Current: It supports a high continuous drain current (ID), enabling it to handle high power applications without performance degradation.
  • Advanced Packaging: Housed in a compact DFN2020 package, the DMN2025UFDB-7 offers excellent thermal performance and a small footprint, making it ideal for space-constrained applications.
  • High-Speed Switching: This MOSFET is designed for fast switching applications, reducing transition losses and improving overall performance.
  • Low Threshold Voltage: A low gate threshold voltage (VGS(th)) allows for easy drive capability and efficient operation at lower voltages.

Applications

The DMN2025UFDB-7 is versatile and can be used in a variety of applications, including:

  • Power management systems
  • DC/DC converters
  • Load switches
  • Battery management circuits
  • Motor control circuits
  • Computing and networking systems

Quality and Reliability

Diodes Incorporated is committed to providing high-quality products. The DMN2025UFDB-7 is built to meet stringent quality standards, ensuring reliable performance in even the most demanding situations. With its robust construction and proven design, this MOSFET is a dependable choice for engineers and designers looking to optimize their power management solutions.

Environmental Compliance

The DMN2025UFDB-7 is compliant with RoHS and Green standards, reflecting Diodes Incorporated's dedication to environmental responsibility. Customers can trust that they are choosing a product that not only meets high performance criteria but also contributes to a more sustainable future.

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
165+ $0.3085 $50.9025
395+ $0.2532 $100.0140
615+ $0.2453 $150.8595
845+ $0.2374 $200.6030
1,090+ $0.2294 $250.0460
1,460+ $0.2057 $300.3220
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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