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Parte No DMG2305UX-7
Produttore Diodes Incorporated
Catalogo Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Scheda tecnica
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
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Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Diodes Incorporated
Imballaggio Reel - TR
Stato Active
Polarità P-Channel
Tecnologia MOSFET
Tensione di rottura drain-source 20V
Corrente di drain continua a 25 °C 4.2A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Rds On max, Rds On min) 1.8V, 4.5V
Tensione di soglia gate-source 900mV @ 250μA
Carica di gate max 10.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso max 808pF @ 15V
Tensione gate-source massima ±8V
Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta)
Rds On massima a Id,Vgs 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C to 150°C (TJ)
Montaggio SMD (SMT)
Contenitore/involucro SOT-23
Dimensione TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Condizione di conservazione Dry storage cabinet & Humidity protection package
Codice Articolo Win Source 014378-DMG2305UX-7
Nome famiglia DMG2305UX
Data di introduzione May 23, 2013
ECCN EAR99
Paese di origine China
Senza alogeni Compliant
Data EOL stimata 2028
Parte di uso comune? Yes
Popolarità High
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 48 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Sufficient
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian DMG2305UX-7 Modello CAD

Descrizione

The DMG2305UX-7 is a high-performance P-Channel MOSFET from Diodes Incorporated, designed to deliver efficiency and reliability for a wide range of applications. This MOSFET is an ideal choice for power management tasks thanks to its low on-resistance and high threshold voltage. It's housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained applications.

Key Features

  • Low On-Resistance: The device features an extremely low on-resistance of 65mΩ at VGS = -4.5V, which enhances its efficiency and reduces power losses during operation.
  • High Threshold Voltage: With a threshold voltage of -0.45V (min) to -1.0V (max), the DMG2305UX-7 ensures a robust performance even in circuits with low gate drive voltages.
  • High Continuous Drain Current: It supports a high continuous drain current of -3.1A, making it capable of handling significant power levels.
  • Advanced Packaging: The SOT-23 package is not only small but also offers excellent thermal performance, which is crucial for maintaining stability and longevity in various applications.
  • Lead-Free and RoHS Compliant: In line with modern environmental standards, this MOSFET is lead-free and RoHS compliant, minimizing the environmental impact of electronic components.

Applications

The DMG2305UX-7 is versatile and can be used in various applications, including:

  • Power Management Circuits
  • Load Switches
  • Battery Management Systems
  • DC-DC Converters
  • Portable Devices

Product Summary

Parameter Value
Configuration Single
Channel Type P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -20V
Gate-Source Voltage (Vgs) ±8V
Continuous Drain Current (Id) -3.1A
Power Dissipation (Pd) 1W
Operating Temperature Range -55°C to +150°C

In conclusion, the DMG2305UX-7 from Diodes Incorporated is a robust and efficient solution for designers looking to optimize their power management systems with a reliable P-Channel MOSFET.

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A partire da $3.6214

Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
1,415+ $0.0354 $50.0910
3,015+ $0.0332 $100.0980
4,675+ $0.0321 $150.0675
6,715+ $0.0298 $200.1070
8,715+ $0.0287 $250.1205
10,870+ $0.0276 $300.0120
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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