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IRFD120

Parte No IRFD120
Produttore Vishay
Catalogo FETs - Single
Descrizione 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Campione
Stato RoHS Richiede verifica
Modelli ECAD
Serve Aiuto?

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Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Vishay Siliconix
Imballaggio Tube
Stato Obsolete
Polarità del transistor N-Channel
Tecnologia MOSFET
Vds - Tensione di rottura drain-source 100V
Id - Corrente di drain continua 1.3A
Tensione di pilotaggio (Rds On max, Rds On min) 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm at 780mA, 10V
Tensione gate-source (th) (max) a Id 4V at 250μA
Carica di gate (Qg) (max) a Vgs 16nC at 10V
Tensione gate-source (max) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 360pF at 25V
Dissipazione di potenza (max) 1.3W
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio Through Hole
Package del produttore 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Package del costruttore 4-DIP
Quantità confezione del costruttore 2,500
Livello MSL 1 (Unlimited)
Codice Articolo Win Source 1187560-IRFD120
Homepage del costruttore www.intersil.com/cda/home
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 70 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Balance
Campo di applicazione Used in Power Management
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian IRFD120 Modello CAD

Descrizione

The Vishay Siliconix IRFD120 is an N-Channel MOSFET transistor that features a 100V drain-source breakdown voltage and a continuous drain current of 1.3A.

  • Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
  • Continuous Drain Current: 1.3A
  • Maximum Rds On: 270mOhm @ 780mA
  • Gate-Source Voltage: ±20V
  • Power Dissipation: 1.3W
  • Package: 4-DIP
  • Operating Temperature Range: -55°C to 175°C

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Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
31+ $1.6508 $51.1748
65+ $1.5463 $100.5095
101+ $1.4941 $150.9041
144+ $1.3896 $200.1024
187+ $1.3374 $250.0938
234+ $1.2851 $300.7134
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