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Parte No IRF7406PBF
Produttore Infineon Technologies
Catalogo FETs - Single
Descrizione HEXFET®Power MOSFET | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Campione
Stato RoHS rohs
Modelli ECAD
Serve Aiuto?

Specifiche prodotto Segnala problema?

Categorie Discrete Semiconductor Products
Costruttore Infineon Technologies
Imballaggio Tube
Polarità del transistor P-Channel
Tecnologia MOSFET
Vds - Tensione di rottura drain-source 30V
Id - Corrente di drain continua 5.8A
Tensione di pilotaggio (Rds On max, Rds On min) 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm at 2.8A, 10V
Tensione gate-source (th) (max) a Id 1V at 250μA
Carica di gate (Qg) (max) a Vgs 59nC at 10V
Tensione gate-source (max) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100pF at 25V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W
Intervallo di temperatura - Esercizio -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio SMD
Package del produttore 8-SO
Package del costruttore 8-SOIC
Quantità confezione del costruttore 3,800
Livello MSL 1 (Unlimited)
Codice Articolo Win Source 1187254-IRF7406PBF
Homepage del costruttore www.irf.com
Popolarità Medium
Rischio di contraffazione sul mercato aperto 66 pct.
Stato della domanda e dell'offerta Limited
Modello 3D Ultra Librarian Ultra Librarian IRF7406PBF Modello CAD

Descrizione

The Infineon Technologies IRF7406PBF with the Win Source Part Number 1187254 is a P-Channel MOSFET with a maximum drain-source breakdown voltage of 30V and a continuous drain current of 5.8A.

  • Maximum Gate-Source Voltage: ±20V
  • Input Capacitance: 1100pF @ 25V
  • Supply and Demand Status: Limited
  • Manufacturer Pack Quantity: 3,800
  • MSL Level: 1 (unlimited)
  • Technology: MOSFET
  • Package: 8-SOIC
  • Power Dissipation: 2.5W
  • Category: Discrete Semiconductor Products

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Prezzi e Ordini (USD)

Quantità Prezzo unitario Prezzo totale
3+ $18.9179 $56.7537
7+ $15.5224 $108.6568
10+ $15.0374 $150.3740
14+ $14.5523 $203.7322
18+ $14.0672 $253.2096
24+ $12.6120 $302.6880
* I prezzi sopra indicati non includono tasse e costi di spedizione, che verranno calcolati nelle pagine dell'ordine.
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