I singoli transistor bipolari a gate isolato (IGBT) sono componenti essenziali per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza. Combinando i vantaggi di MOSFET e transistor bipolari, gli IGBT singoli forniscono velocità di commutazione elevate e un'efficiente gestione della potenza. Sono ampiamente utilizzati in applicazioni come azionamenti motore, riscaldamento a induzione e inverter di potenza.
Produttori leader come Infineon, IXYS e ON Semiconductor offrono IGBT singoli con prestazioni, affidabilità ed efficienza eccellenti. Questi transistor soddisfano le richieste di vari settori, dalle applicazioni industriali a quelle di energia rinnovabile.
L'incorporazione di IGBT singoli nei tuoi design garantisce un'efficienza energetica migliorata e un funzionamento robusto, rendendoli un componente vitale nei sistemi elettronici ad alte prestazioni.
| Seleziona | Immagini | Numero di Parte | Produttore | Descrizione | Scheda Tecnica | Disponibilità | Prezzo | Qtà | Richiesta di Offerta | RoHS | Modello ECAD |
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Codice produttore Codice WS |
IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
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7,272 pezzi Disponibili |
MOQ: 12 |
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